特許
J-GLOBAL ID：201003075493884138
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-002930
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161237
出願日： 2009年01月08日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：
【課題】結晶欠陥の種類や量を制御することで、所望のスイッチング特性が実現可能となる半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】本方法は、シリコン領域形成工程(S30)と、熱処理工程(S32)と、注入工程(S36)を備えている。シリコン領域形成工程では、不純物が含有されているシリコン基板と、シリコン基板の表面に堆積されているエピタキシャル層と、からなるシリコン領域を形成する。熱処理工程では、シリコン領域を熱処理する。素子構造形成工程では、熱処理工程後に、シリコン領域内に半導体装置の素子構造を形成する。注入工程では、熱処理工程後に、シリコン領域内に荷電粒子を注入する。熱処理工程では、熱処理条件を制御することによって、シリコン基板からエピタキシャル層に拡散される不純物の濃度や拡散速度を制御することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
不純物が含有されているシリコン基板と、そのシリコン基板の表面に堆積されているエピタキシャル層と、からなるシリコン領域を形成するシリコン領域形成工程と、
そのシリコン領域形成工程後に、シリコン領域を熱処理する熱処理工程と、
その熱処理工程後に、シリコン領域内に荷電粒子を注入する注入工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 29/861
, H01L 21/329
H01L21/322 L
, H01L29/91 J
, H01L29/91 A
