特許
J-GLOBAL ID：200903074696991730
半導体装置、PNダイオード、IGBT、及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008384
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177296
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】本発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであり、半導体結晶中に形成欠陥を形成して半導体装置の特性を調節するにあたって、半導体装置間のばらつきが少ない半導体装置群を量産する製造方法を提供する。【解決手段】不純物を導入した半導体領域と所定範囲B1に結晶欠陥を形成した結晶欠陥領域とを備えている半導体装置10aを製造する方法であって、半導体基板を熱処理することによって前記所定範囲に含まれている不純物の少なくとも一部を半導体基板外に排出する排出工程S2と、排出工程S2を実施した半導体基板に不純物を導入して半導体領域を形成する導入工程S4〜S10と、排出工程S2を実施した半導体基板の前記所定範囲B1に荷電粒子を打ち込むことによって前記所定範囲B1に結晶欠陥を形成する打ち込み工程S14を備えている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ドーパント不純物を導入した半導体領域と所定範囲に結晶欠陥を形成した結晶欠陥領域とを備えている半導体装置を製造する方法であって、
半導体基板を熱処理することによって前記所定範囲に含まれている混入不純物の少なくとも一部を半導体基板外に排出する排出工程と、
排出工程を実施した半導体基板にドーパント不純物を導入して半導体領域を形成する導入工程と、
排出工程を実施した半導体基板の前記所定範囲に荷電粒子を打ち込むことによって前記所定範囲に結晶欠陥を形成する打ち込み工程と、
を備えている半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
, H01L 29/861
, H01L 21/329
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L21/322 L
, H01L21/324 X
, H01L29/91 J
, H01L29/91 B
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655B
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658E
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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