特許
J-GLOBAL ID：200903011805595270

半導体デバイス及びその製造方法

発明者：
杉山 隆英

杉山 隆英 について

, 
島ノ江 克博

島ノ江 克博 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

, 
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074753
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251003
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】逆回復時間を調整するための点欠陥を含む半導体デバイスにおいて、炭素,窒素または酸素などの欠陥要因不純物による影響を抑えるための半導体デバイスの構成とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスにおいて、シリコン基板12に含まれる欠陥要因不純物が低い濃度で分布した領域32に、点欠陥24を含むことを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
N型ドーパントを含むN型半導体領域とP型ドーパントを含むP型半導体領域とを有し、前記N型半導体領域と前記P型半導体領域とが接した半導体デバイスにおいて、 前記N型半導体領域は、 半導体内において欠陥の発生要因となる欠陥要因不純物を含む第一の不純物領域と、 前記第一の不純物領域の欠陥要因不純物の濃度より欠陥要因不純物の濃度が低い第二の不純物領域と、を含み、 前記第二の不純物領域は点欠陥を有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/329
FI (2件)：
H01L29/91 J ,  H01L29/91 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
  • 高速ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003228   出願人：富士電機株式会社
  • 電力用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-200584   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-214657   出願人：富士電機株式会社
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