エピタキシャルシリコンウエハとその製造方法および半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-002858
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190896
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】シリコンウエハにおいて金属汚染に強いエピタキシャルシリコンウエハの製造方法を得ること。【解決手段】シリコンウエハ上にシリコンのエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、シリコンウエハに対して600〜900°Cで1時間以上の熱処理を行う低温熱処理工程と、シリコンウエハに対して1000〜1050°Cで1〜12時間の熱処理を行う高温熱処理工程と、を含み、低温熱処理工程と高温熱処理工程のうち少なくとも一方の熱処理の一部を酸化雰囲気下で行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンウエハ上にシリコンのエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、前記シリコンウエハに対して600〜900°Cで1時間以上の熱処理を行う低温熱処理工程と、前記シリコンウエハに対して1000〜1050°Cで1〜12時間の熱処理を行う高温熱処理工程と、を含み、前記低温熱処理工程と前記高温熱処理工程のうち少なくとも一方の熱処理の一部を酸化雰囲気下で行うことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/322 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/76

FI (6件)：

H01L21/322 Y , H01L21/322 Q , H01L21/20 , H01L29/78 301Y , H01L21/76 L , H01L21/76 E

Fターム (43件)：

5F032AA34 , 5F032AA45 , 5F032AA77 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032DA01 , 5F032DA22 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA80 , 5F140AA19 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BC19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF32 , 5F140BG08 , 5F140BG27 , 5F140BG37 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CE03 , 5F140CE07 , 5F140CF00 , 5F152LL03 , 5F152LM09 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-248227 出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (7件)

半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-073398 出願人：株式会社東芝
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-352687 出願人：信越半導体株式会社
半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-100052 出願人：住友金属工業株式会社

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