特許

J-GLOBAL ID：201003076592966266

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 二山 拓也 ,  枝広 俊昭 ,  藤田 憲浩 ,  荒井 史隆 ,  丸山 徹 ,  近藤 正樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-171491
公開番号（公開出願番号）：特開2010-009733
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】メモリセルに書き込まれたデータの信頼性を向上させる。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、閾値電圧により規定されるデータを記憶し、かつ電気的に書き換えが可能なメモリセルMCと、メモリセルMCの電流経路の一端に電気的に接続されたビット線BLと、メモリセルMCへデータを書き込んだ後にこのデータを確認するベリファイ動作を実行する制御回路8と、ベリファイ動作及び読み出し動作においてビット線BLの充電電圧VBLを設定し、かつ読み出し動作時の充電電圧を、ベリファイ動作時の充電電圧より高くする電圧設定回路41とを含む。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

閾値電圧により規定されるデータを記憶し、かつ電気的に書き換えが可能なメモリセルと、 前記メモリセルの電流経路の一端に電気的に接続されたビット線と、 前記メモリセルへデータを書き込んだ後にこのデータを確認するベリファイ動作を実行する制御回路と、 ベリファイ動作及び読み出し動作において前記ビット線の充電電圧を設定し、かつ読み出し動作時の充電電圧を、ベリファイ動作時の充電電圧より高くする電圧設定回路と、 を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (6件)：

G11C17/00 634B ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 633C ,  G11C17/00 622E

Fターム (23件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125CA20 ,  5B125DA03 ,  5B125DA09 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DB18 ,  5B125DB19 ,  5B125DE14 ,  5B125EA05 ,  5B125EB08 ,  5B125ED04 ,  5B125ED09 ,  5B125EE12 ,  5B125EF02 ,  5B125EF03 ,  5B125EG02 ,  5B125EG04 ,  5B125EJ03 ,  5B125FA02 ,  5B125FA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-120635   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-027748   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-017934   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397446   出願人：株式会社東芝, サンディスクコーポレイション
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-120635   出願人：株式会社東芝