特許
J-GLOBAL ID：201003080794583722

表面プラズマ発生装置

発明者：
瀬川 武彦

瀬川 武彦 について

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吉田 博夫

吉田 博夫 について

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武川 信也

武川 信也 について

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クィンソー チョイ

クィンソー チョイ について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-225001
公開番号（公開出願番号）：特開2010-061919
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】電極に印加する電圧の立ち上がり速度を適切に設定することにより、高速の表面プラズマを安定して発生させることができるようにする。【解決手段】絶縁材を挟んで表面側電極と裏面側電極を設け、両電極間に電圧を印加することにより表面プラズマを発生する表面プラズマ発生装置において、電極に印加する電圧の立ち上がり速度を3〜7μs/kV、更に好ましくは4〜5μs/kVとする。このときの印加電圧はパルス状とすることが印加電圧の立ち上がり速度を所定値に設定するために好ましく、この所定値で立ち上がる三角形波としても良く、そのときにはマイナス側に立ち下がる波形を小さなものに設定しても良い。更に、前記表面側電極がドーナツ状であると、表面プラズマジェットが表面から垂直に立ち上がるため、印加電圧の立ち上がり速度を適切に設定することが容易となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁材を挟んで表面側電極と裏面側電極を設け、両電極間に電圧を印加することにより表面プラズマを発生する表面プラズマ発生装置において、 前記電極に印加する電圧の立ち上がり速度を3μs/kV以上7μs/kV以下の範囲の所定値としたことを特徴とする表面プラズマ発生装置。
IPC (1件)：
H05H 1/24
FI (1件)：
H05H1/24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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