特許

J-GLOBAL ID：201003080837936608

集積光デバイス

発明者： 山田 浩治 ,  板橋 聖一 ,  渡辺 俊文 ,  土澤 泰 ,  篠島 弘幸 ,  西 英隆
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-119271
公開番号（公開出願番号）：特開2010-266766
出願日： 2009年05月15日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。【解決手段】リブ型導波路を構成しているシリコンコア101の一部において、シリコンコア101を挟むようにスラブ層102に形成されたp型半導体領域103およびn型半導体領域104を備える光変調部105を備える。また、シリコンコア101よりなるリブ型導波路の途中には、導波路型の光分岐部109が接続され、光強度検出部106が接続されているモニター導波路に、一部の光を分岐する。加えて、光強度検出部106を囲うようにスラブ層102に形成された下部クラッド層に達する溝部107を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化シリコンからなる下部クラッド層の上に形成されたシリコンからなるスラブ層およびコアと、 このコアの一部を挟んで前記スラブ層に形成されたp型半導体領域およびn型半導体領域を備える光変調部と、 前記コアの一端に設けられた光強度検出部と、 この光強度検出部を囲うように前記スラブ層に形成された前記下部クラッド層に達する溝部と、 少なくとも前記スラブ層の上に形成された上部クラッド層と を少なくとも備えることを特徴とする集積光デバイス。

IPC (2件)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/122

FI (2件)：

G02B6/12 H ,  G02B6/12 B

Fターム (10件)：

2H147AB02 ,  2H147AB06 ,  2H147AC02 ,  2H147BE13 ,  2H147BG09 ,  2H147EA13A ,  2H147EA14B ,  2H147FC01 ,  2H147GA10 ,  2H147GA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ゲルマニウムオンシリコンの光検出器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-547193   出願人：ピレリ・アンド・チ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007339   出願人：日本電気株式会社
• 可変光減衰器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-046122   出願人：日本電信電話株式会社
• 光導波路体及びそれを用いた光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108730   出願人：京セラ株式会社