特許
J-GLOBAL ID:201003081965500207
面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、面発光レーザ及び面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを備えている光学機器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長尾 達也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-198951
公開番号(公開出願番号):特開2010-040600
出願日: 2008年07月31日
公開日(公表日): 2010年02月18日
要約:
【課題】表面レリーフ構造の受けるプロセスダメージを軽減し、単一横モード特性を安定して得ることが可能となる面発光レーザの製造方法等を提供する。【解決手段】上部ミラーの光出射部に反射率を制御するための段差構造による表面レリーフ構造を備えた面発光レーザの製造方法であって、 上部ミラーの上または上方に、メサ構造を形成するためのパターンと段差構造を形成するためのパターンを有するレジストパターンを形成し、上部ミラーの表面層をエッチングし、段差構造の水平位置を決める第一段目のエッチングを行う工程と、 第一段目のエッチングを行う工程の後に、電流狭窄構造を形成する工程と、 電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記第一段目のエッチングが行われた箇所を更にエッチングし、段差構造の深さ位置を決める第二段目のエッチングを行う工程と、を有する構成とする。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
基板の上に、下部ミラー、活性層、上部ミラー、を積層し、前記上部ミラーの光出射部に反射率を制御するために施された段差構造による表面レリーフ構造を備えた面発光レーザを製造する面発光レーザの製造方法であって、
前記上部ミラーの上または上方に、メサ構造を形成するための第1のパターンと前記表面レリーフ構造を形成するための第2のパターンを有するレジストパターンを形成し、
該レジストパターンを用いて前記上部ミラーの表面層をエッチングし、前記表面レリーフ構造の水平位置を決めるための第一段目のエッチングを行う工程と、
前記第一段目のエッチングを行う工程の後に、前記活性層へ注入される電流を制限する電流狭窄構造を形成する工程と、
前記電流狭窄構造を形成する工程の後に、前記第一段目のエッチングが行われた箇所を更にエッチングし、前記表面レリーフ構造の深さ位置を決めるための第二段目のエッチングを行う工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (16件):
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AD05
, 5F173AG05
, 5F173AH08
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP36
, 5F173AP67
, 5F173AR33
, 5F173AR92
引用特許: