特許
J-GLOBAL ID：200903022583269001
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-364754
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173291
出願日： 2005年12月19日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】モード数を削減することができ、かつ高出力化の可能な面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる面発光型半導体レーザ100は、第1ミラー102と、前記第1ミラーの上方に形成された活性層103と、前記活性層の上方に形成された第2ミラー104と、前記活性層の上方または下方に形成された電流狭窄層105と、を含み、前記第2ミラーは、低屈折率領域に周囲を囲まれた高屈折率領域106を有し、前記高屈折率領域は、平面視において前記電流狭窄層に囲まれた領域の内側に形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1ミラーと、
前記第1ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2ミラーと、
前記活性層の上方または下方に形成された電流狭窄層と、
を含み、
前記第2ミラーは、低屈折率領域に周囲を囲まれた高屈折率領域を有し、
前記高屈折率領域は、平面視において前記電流狭窄層に囲まれた領域の内側に形成されている、面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC46
, 5F173AC52
, 5F173AC53
, 5F173AH02
, 5F173AP33
, 5F173AR14
, 5F173AR33
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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高熱伝導性を有する半導体デバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-302664
出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
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面発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-181467
出願人：日本電気株式会社
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面発光型半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-367286
出願人：株式会社東芝
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