特許
J-GLOBAL ID:201003082633648711
半導体装置とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森本 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-246842
公開番号(公開出願番号):特開2010-080656
出願日: 2008年09月25日
公開日(公表日): 2010年04月08日
要約:
【課題】外部電極の小型化や薄型化を図った場合でも、外部電極に対する樹脂の良好な食付き効果が得られ、従って、外部電極が不用意に脱落したり、位置ずれするおそれの無い、半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】外部電極3の外表面に、樹脂体7を構成する成形材の流入を許して、該外部電極3と樹脂体7との結合強度の向上を図る凹部15を二以上形成する。これによれば、二以上の各凹部15に成形材である溶融樹脂が進入し、固化するため、樹脂の外部電極3に対する食付き効果の増加を図り、樹脂体7と外部電極3との結合強度の向上を図ることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体素子(2)と、該半導体素子(2)と電気的に接続される外部電極(3)とを有し、これら半導体素子(2)および外部電極(3)が樹脂体(7)により封止されている半導体装置であって、
外部電極(3)の外表面に、樹脂体(7)を構成する成形材の流入を許して、該外部電極(3)と樹脂体(7)との結合強度の向上を図る凹部(15)が、二以上形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/50 M
, H01L23/12 501V
Fターム (5件):
5F067AA05
, 5F067AB04
, 5F067BC11
, 5F067CC06
, 5F067DC18
引用特許:
出願人引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-185426
出願人:九州日立マクセル株式会社, トレックス・セミコンダクター株式会社
審査官引用 (4件)