特許
J-GLOBAL ID：201003083583323090
低密度シリカ殻からなるナノ中空粒子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人 Vesta国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-002732
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215490
出願日： 2010年01月08日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】低密度シリカナノ中空粒子及びその製造方法において、塗料等を始めとする材料中に混入等をすることによって、極めて低い熱伝導率を得るために有効であること。【解決手段】炭酸カルシウム2を結晶成長させた(S10)後に、熟成(S11)、脱水し(S12)、固体微粉末状とした後、エタノールに分散させ(S13)、シリコンアルコキシド及びアンモニアを添加して、ゾル-ゲル法によりシリカをコーティングする(S14)。このようにして作製したシリカコーティング粒子3を洗浄した(S15)後に、水に分散させて(S16)、塩酸を添加して内部の炭酸カルシウム2を溶解させて流出させることによって(S17)、流出孔を有する立方体状形態のシリカ殻からなるナノ中空粒子4が形成され、乾燥した(S18)後に、加熱工程において400°Cで加熱し流出した孔を塞ぐことによって(S19)、低密度シリカナノ中空粒子1が製造される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
顕微鏡法により測定した外径が30nm〜200nmの範囲内であるシリカ殻からなるナノ中空粒子であって、
前記シリカ殻は複数のミクロ細孔を有しており、前記シリカ殻の前記ミクロ細孔を除いたシリカ殻のみの密度が0.5g/cm3 〜1.9g/cm3 の範囲内であることを特徴とする低密度シリカ殻からなるナノ中空粒子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (24件)：
4G072AA25
, 4G072AA28
, 4G072BB05
, 4G072BB09
, 4G072BB16
, 4G072CC02
, 4G072DD05
, 4G072DD06
, 4G072EE05
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH30
, 4G072JJ14
, 4G072JJ23
, 4G072KK07
, 4G072LL11
, 4G072MM31
, 4G072MM36
, 4G072PP17
, 4G072RR12
, 4G072TT01
, 4G072TT04
, 4G072UU07
, 4G072UU09
