特許

J-GLOBAL ID：201003086305750903

不揮発性半導体記憶装置、及びそのスクリーニング方法

発明者： 小村 政則 ,  佐藤 充 ,  室岡 賢一 ,  岸田 基也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-070371
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225774
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】微細化が進展しても欠陥メモリセルの影響を受けず、高い歩留りを得ることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルは、可変抵抗素子として機能する可変抵抗膜と、可変抵抗膜の一方の面に接する第1導電膜と、可変抵抗膜の他方の面に接する第2導電膜と、第2導電膜の下面に接するように形成され整流素子として機能する整流素子層とを備える。第1導電膜又は第2導電膜の幅は、可変抵抗膜の幅に比べて小さくされている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1配線と第2配線との間に配置され且つ可変抵抗素子と整流素子とを直列接続してなるメモリセルを含むメモリセルアレイを備え、 前記メモリセルは、 前記可変抵抗素子として機能する可変抵抗膜と、 前記可変抵抗膜の一方の面に接する第1導電膜と、 前記可変抵抗膜の他方の面に接する第2導電膜と、 前記第2導電膜の下面に接するように形成され前記整流素子として機能する整流素子層と を備え、 前記第1導電膜又は前記第2導電膜の幅は、前記可変抵抗膜の幅に比べて小さくされている ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  G11C 13/00 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A ,  H01L27/10 448

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 確実な書き込みを行うために相変化メモリアレイをバイアスする構造および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-552166   出願人：マトリックスセミコンダクターインコーポレイテッド
• 互いに自己整合的に形成されたセルダイオード及び下部電極を有する相変化記憶セル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-150232   出願人：三星電子株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231587   出願人：三菱電機株式会社
• 相変化記憶素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-357272   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター