特許
J-GLOBAL ID：201003086818957791
面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-093021
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021522
出願日： 2009年04月07日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作を可能とする。【解決手段】 活性層105を含む共振器構造体、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体DBR103と上部半導体DBR107を備えている。上部半導体DBR107は、アルミニウムを含む厚さ30nmの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層108aが電流通過領域108bを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。下部半導体DBR103は、共振器構造体に対して基板101側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第2の下部半導体DBRを有している。これにより、「負のドループ特性」を抑制するとともに、単一基本横モード発振において高出力動作が可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板に対して垂直方向に光を出力する面発光レーザ素子であって、
活性層を含む共振器構造体と;
前記共振器構造体を挟んで設けられ、アルミニウムを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化物が電流通過領域を取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる狭窄構造体をその中に含む半導体多層膜反射鏡と;を備え、
前記被選択酸化層の厚さは少なくとも25nmであり、
前記半導体多層膜反射鏡は、前記共振器構造体に対して前記基板側に、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減部を有することを特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (4件)：
H01S 5/183
, H01S 5/42
, G02B 26/10
, B41J 2/44
H01S5/183
, H01S5/42
, G02B26/10 B
, B41J3/00 D
2C362AA07
, 2C362AA10
, 2C362AA15
, 2C362BA50
, 2C362BA51
, 2C362BA57
, 2C362CA18
, 2C362CA39
, 2H045BA23
, 2H045BA34
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AC61
, 5F173AD02
, 5F173AH03
, 5F173AH13
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AP67
, 5F173AR01
, 5F173AR33
