特許
J-GLOBAL ID：200903018745969609
面発光レーザアレイ、それを備えた光走査装置および画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-134856
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078612
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】熱が活性層にこもり難い面発光レーザアレイを提供する。【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子1の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子1において、反射層102は、40.5周期の[n-AlAs/n-Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層103,105の各々は、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなる。また、活性層104は、GaInPAsからなる井戸層と、Ga0.6In0.4Pからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層106は、24周期の[p-Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなる。そして、メサ構造体の底面は、共振器スペーサー層103の途中に位置している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の面発光レーザ素子を備え、
前記複数の面発光レーザ素子の各々は、
半導体ブラッグ反射器からなり、基板上に形成された第1の反射層と、
前記第1の反射層に接して形成され、活性層を含む共振器と、
前記半導体ブラッグ反射器からなり、前記共振器に接して形成された第2の反射層とを含み、
前記第1の反射層は、前記第2の反射層に含まれる選択酸化層の酸化速度と同等以上の酸化速度を有する低屈折率層を少なくとも前記活性層側に含み、
前記共振器は、少なくともInを含むAlGaInPAs系材料からなり、
前記面発光レーザ素子におけるメサ構造体の底面は、前記第1の反射層よりも前記第2の反射層側に位置している、面発光レーザアレイ。
IPC (7件)：
H01S 5/183
, H01S 5/026
, H01S 5/343
, G02B 26/10
, G03G 15/04
, B41J 2/44
, H04N 1/113
H01S5/183
, H01S5/026 610
, H01S5/343
, G02B26/10 B
, G03G15/04
, B41J3/00 D
, H04N1/04 104A
2C362AA07
, 2C362AA15
, 2H045BA23
, 2H045BA32
, 2H045BA34
, 2H045DA02
, 2H076AB06
, 2H076AB47
, 2H076AB48
, 2H076AB53
, 2H076AB54
, 5C072AA03
, 5C072BA12
, 5C072HA02
, 5C072HA06
, 5C072HA09
, 5C072HA13
, 5C072XA05
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC24
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AD04
, 5F173AF05
, 5F173AF95
, 5F173AF96
, 5F173AG03
, 5F173AG22
, 5F173AH13
, 5F173AH47
, 5F173AL13
, 5F173AL14
, 5F173AL21
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP35
, 5F173AR59
, 5F173AR72
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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