特許
J-GLOBAL ID：201003086832903696

固定化方法及びセンシング方法

発明者：
逢坂 哲彌

逢坂 哲彌 について

, 
秀島 翔

秀島 翔 について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-137008
公開番号（公開出願番号）：特開2010-281769
出願日： 2009年06月08日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された有機単分子膜を形成し、有機単分子膜に反応性官能基を介して架橋分子を結合させ、電界効果型トランジスタの通電回路に通電することにより架橋分子に電圧を印加し、更に、架橋分子にプローブ物質を結合させて固定化する。【効果】本発明によれば、センシング時の電圧の印加による架橋分子やプローブ物質の脱離を抑制して、従来に比べて、高い感度と再現性で被検出物質を検出することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された有機単分子膜を形成し、該有機単分子膜に、上記反応性官能基を介して架橋分子を結合させ、更に、該架橋分子に被検出物質に特異的に反応するプローブ物質を結合させて、該プローブ物質と被検出物質の結合により生じる絶縁層の表面電位変化を検出するセンシングにおいて、上記有機単分子膜に上記架橋分子及びプローブ物質を固定化する方法であって、 上記有機単分子膜に上記架橋分子を結合した後、上記電界効果型トランジスタの通電回路に通電することにより上記架橋分子に電圧を印加して、上記架橋分子に上記プローブ物質を結合させて固定化することを特徴とする架橋分子及びプローブ物質の固定化方法。
IPC (5件)：
G01N 27/414 ,  G01N 33/543 ,  G01N 27/416 ,  G01N 37/00 ,  G01N 27/00
FI (11件)：
G01N27/30 301V ,  G01N33/543 525W ,  G01N33/543 525E ,  G01N33/543 593 ,  G01N33/543 525G ,  G01N27/30 301K ,  G01N27/30 301N ,  G01N27/46 386Z ,  G01N27/30 301R ,  G01N37/00 102 ,  G01N27/00 J
Fターム (13件)：
2G060AA06 ,  2G060AB15 ,  2G060AF15 ,  2G060AG10 ,  2G060DA02 ,  2G060DA04 ,  2G060DA12 ,  2G060DA15 ,  2G060FA05 ,  2G060FA07 ,  2G060FA09 ,  2G060GA04 ,  2G060KA05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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