半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229959
公開番号（公開出願番号）：特開2010-226082
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】電子デバイスのスイッチング速度等の性能を向上させる。半導体基板の結晶性を向上させる。【解決手段】ベース基板と、絶縁層と、SixGe1-x結晶層とをこの順に有する半導体基板であって、SixGe1-x結晶層上に設けられる阻害層と、SixGe1-x結晶層に格子整合または擬格子整合している化合物半導体とを備え、阻害層はSixGe1-x結晶層にまで貫通する開口を有し、かつ化合物半導体の結晶成長を阻害する半導体基板を提供する。また、上記開口の内部でSixGe1-x結晶層に格子整合または擬格子整合する化合物半導体と、化合物半導体を用いて形成された半導体デバイスとを備える電子デバイスを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベース基板と、絶縁層と、SixGe1-x結晶層(0≦x<1)とをこの順に有する半導体基板であって、前記SixGe1-x結晶層上に設けられる阻害層と、前記SixGe1-x結晶層に格子整合または擬格子整合している化合物半導体とを備え、前記阻害層は前記SixGe1-x結晶層にまで貫通する開口を有し、かつ前記化合物半導体の結晶成長を阻害する半導体基板。

IPC (13件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 21/822 , H01L 27/082 , H01L 21/824 , H01L 27/06

FI (12件)：

H01L21/20 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 626C , H01L29/78 620 , H01L27/08 331E , H01L29/80 H , H01L29/80 E , H01L29/72 H , H01L27/08 101B , H01L27/06 101U , H01L27/06 321B

Fターム (117件)：

5F003AZ01 , 5F003AZ03 , 5F003BA92 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BH16 , 5F003BJ01 , 5F003BJ06 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BP33 , 5F003BP34 , 5F048AA10 , 5F048AC01 , 5F048AC07 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC15 , 5F048BD09 , 5F048BG13 , 5F048CA03 , 5F048CA06 , 5F082BA21 , 5F082BA35 , 5F082BA47 , 5F082BC03 , 5F082BC09 , 5F082CA01 , 5F082CA02 , 5F082CA03 , 5F082EA23 , 5F082EA24 , 5F082EA25 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK05 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS03 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC03 , 5F110AA23 , 5F110AA26 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152LN32 , 5F152LN34 , 5F152LN35 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN15 , 5F152NN27 , 5F152NN29 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NP08 , 5F152NP10 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ08 , 5F152NQ10

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-084418
トレンチ内に側方に成長させられるエピタキシャル材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-110251 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開平4-162614

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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