特許
J-GLOBAL ID：201003088976373384

半導体装置の製造方法

発明者：
黒 勇旗

黒 勇旗 について

, 
南中 理

南中 理 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-227884
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062404
出願日： 2008年09月05日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】熱硬化性の封止樹脂材料で半導体素子を樹脂封止するにあたって、封止樹脂材料中に含まれる熱硬化性樹脂の硬化物等に起因する半導体素子へのダメージや金属ワイヤによる内部配線の変形等を抑制する。【解決手段】配線基板2上に搭載されると共に、配線基板2と電気的に接続された半導体素子4を、樹脂封止装置11に配置する。樹脂封止装置11内に熱硬化性の封止樹脂材料15を供給する。封止樹脂材料15は熱硬化性樹脂の硬化物を有する固形状異物を含んでいるが、予め樹脂封止時に半導体素子4や金属ワイヤ6に悪影響を及ぼさない粒径まで微粉化されている。微粉化した封止樹脂材料15を用いて、半導体素子4を樹脂封止する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
熱硬化性樹脂の硬化物を有する固形状異物を含有し、かつ前記固形状異物を含めて微粉化された熱硬化性の封止樹脂材料を用意する工程と、 回路基材上に搭載されると共に、前記回路基材と電気的に接続された半導体素子を、前記微粉化された封止樹脂材料を用いて封止する工程と を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/56
FI (1件)：
H01L21/56 R
Fターム (6件)：
5F061AA01 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061CB03 ,  5F061DE03 ,  5F061DE04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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