特許
J-GLOBAL ID：201003089442472901

新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
前田 一彦

前田 一彦 について

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磯野 芳美

磯野 芳美 について

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成塚 智

成塚 智 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 小出 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283256
公開番号（公開出願番号）：特開2010-132560
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】ArFエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸(光発生酸)の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。 【解決手段】下記一般式(2)で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする光酸発生剤を用いることによって、前記課題は解決する。 【化102】(式中、nは1〜10の整数を示す。Rは置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基、又は炭素数4〜15のヘテロアリール基を示す。)。このような光酸発生剤を使用して形成されたレジストパターンは基板密着性、エッチング耐性においても優れた性能を発揮する。 【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(A)で示される構造を有する含フッ素スルホン酸塩もしくは、含フッ素スルホン酸基含有化合物。
IPC (9件)：
C07C 309/12 ,  C07C 381/12 ,  C07D 207/404 ,  C07D 207/444 ,  C07D 209/52 ,  C07D 491/18 ,  C07D 209/48 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039
FI (9件)：
C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07D207/404 ,  C07D207/444 ,  C07D209/52 ,  C07D491/18 ,  C07D209/48 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601
Fターム (37件)：
2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C050AA03 ,  4C050AA07 ,  4C050BB04 ,  4C050CC16 ,  4C050DD10 ,  4C050EE01 ,  4C050FF01 ,  4C050GG03 ,  4C050HH01 ,  4C069AC32 ,  4C069AD07 ,  4C069BC12 ,  4C204BB09 ,  4C204CB04 ,  4C204CB28 ,  4C204DB30 ,  4C204EB03 ,  4C204FB33 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AB80
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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