特許
J-GLOBAL ID：201003089821914814

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
行川 敏正

行川 敏正 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283230
公開番号（公開出願番号）：特開2010-113746
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
【課題】データを正確に読み出すことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ロウデコーダ2は、書き込み指示信号WE及び読み出し指示信号REを受け、行アドレス信号の入力状態に従って複数のワード線WLのうちの少なくとも1本のワード線を選択的に活性化する。データバッファ3は、書き込み指示信号WEを受けたときにデータ入力信号を受け、それぞれ対応するビット線BLを駆動するとともに、読み出し指示信号REを受けたときにビット線BLに伝達される微小な読み出し信号を増幅してデータ出力信号を出力する。電源回路4は、メモリセルに対し所定の電圧を供給するとともに、読み出し指示信号REを受けて供給電圧を接地電位VSSに保持する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに交差する複数のワード線及び複数のビット線の各交点にメモリセルが配置されて構成されるメモリセルアレイと、 書き込み指示信号及び読み出し指示信号を受け、行アドレス信号の入力状態に従って複数のワード線を選択的に活性化するロウデコーダと、 書き込み指示信号を受けたときにデータ入力信号を受け、それぞれ対応する前記ビット線を駆動するとともに、読み出し指示信号を受けたときに前記ビット線に伝達される微小な読み出し信号を増幅してデータ出力信号を出力するデータバッファと、 前記メモリセルに対し所定の電圧を供給するとともに、前記読み出し指示信号を受けて前記電圧を接地電位に保持する電源回路と を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 17/14 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/10
FI (5件)：
G11C17/06 B ,  G11C17/00 634A ,  G11C17/00 632A ,  G11C17/00 633B ,  H01L27/10 431
Fターム (24件)：
5B125BA09 ,  5B125BA16 ,  5B125CA16 ,  5B125CA27 ,  5B125CA28 ,  5B125DA01 ,  5B125DA09 ,  5B125DB01 ,  5B125DB12 ,  5B125EC03 ,  5B125EC06 ,  5B125ED04 ,  5B125ED10 ,  5B125EE03 ,  5B125EG04 ,  5B125FA07 ,  5F083CR14 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083LA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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