特許

J-GLOBAL ID：201003091778466386

電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置

発明者： 伊藤 大
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-250801
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080896
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、バンク層をガイドとして半導体溶液を塗布する方法を用いて、精度良く確実にチャネル部に半導体を形成するための電界効果型トランジスタ構造を提供することを目的とする。また、その構造を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、及びそれを用いた画像表示装置を提供すること。【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ソース電極と、下部画素電極と、前記下部画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体と、半導体を挟むように形成されたバンク層より構成された電界効果型トランジスタにおいて、前記バンク層がストライプ状に形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ソース電極と、下部画素電極と、前記下部画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体と、半導体を挟むように形成されたバンク層より構成された電界効果型トランジスタにおいて、前記バンク層がストライプ状に形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 51/05 ,  G09F 9/30

FI (9件)：

H01L29/78 618A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/28 100A ,  G09F9/30 338

Fターム (80件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5C094AA05 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5C094JA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-379676   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (4件)

• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-216368   出願人：株式会社日立製作所
• 有機薄膜トランジスタ基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-182465   出願人：三星電子株式会社
• パターン形成方法、電子素子、電子素子アレイ及び画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-063963   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-069529   出願人：株式会社日立製作所