特許
J-GLOBAL ID：200903021733246416
GaN結晶基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041140
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220975
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】反りの小さいGaN結晶基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】マトリックス結晶領域11と、c軸反転結晶領域21と、粗大コア結晶領域31とを含むGaN結晶基板1であって、c軸反転結晶領域21の結晶は、マトリックス結晶領域11の結晶に対して、a軸方向が同じであり、c軸方向が反転しており、粗大コア結晶領域31は1以上の結晶を含み、粗大コア結晶領域31における結晶は、マトリックス結晶領域11の結晶に対して、a軸方向が異なり、c軸方向が同じであり、粗大コア結晶領域31を0.1個/cm2以上10個/cm2以下で含むことを特徴とするGaN結晶基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マトリックス結晶領域と、c軸反転結晶領域と、粗大コア結晶領域とを含むGaN結晶基板であって、
前記c軸反転結晶領域の結晶は、前記マトリックス結晶領域の結晶に対して、a軸方向が同じであり、c軸方向が反転しており、
前記粗大コア結晶領域は1以上の結晶を含み、前記粗大コア結晶領域における結晶は、前記マトリックス結晶領域の結晶に対して、a軸方向が異なり、c軸方向が同じであり、
前記粗大コア結晶領域を0.1個/cm2以上10個/cm2以下で含むことを特徴とするGaN結晶基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AE17
, 5F045AF09
, 5F045BB11
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DB01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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