特許
J-GLOBAL ID：201003094774932640

窒化物半導体

発明者：
堀江 秀善

堀江 秀善 について

, 
栗原 香

栗原 香 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (3件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297177
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123803
出願日： 2008年11月20日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。【解決手段】本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第2の窒化物半導体層を400nm〜20μmの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりQCSE効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第2の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。【選択図】図3(A)
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の主面が非極性の窒化物である基体の窒化物主面上に、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、前記一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部が順次積層されている窒化物半導体であって、 前記一方導電型の窒化物半導体部は第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層が順次積層されたものであり、 前記第2の窒化物半導体層は400nm以上20μm以下の厚みを有し最表面が略非極性面であることを特徴とする窒化物半導体。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (28件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DA62 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EK26 ,  5F045EK27 ,  5F045EK28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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