特許
J-GLOBAL ID：200903034477095078

窒化物半導体素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

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妹尾 雅之

妹尾 雅之 について

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中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-333737
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067454
出願日： 2006年12月11日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。 【解決手段】 1又は多層のn型窒化物半導体層と1又は多層のp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層及び前記n型窒化物半導体層の内の少なくとも一つは超格子層であって、前記超格子層は、100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第1の層と、該第1の層と組成が異なりかつ100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第2の層とが積層されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p側コンタクト層を含む1又は多層のp型窒化物半導体層と 、該p型窒化物半導体層を介してキャリアが注入されて所定の動作をする窒化物 半導体からなる活性層とを備えた窒化物半導体素子において、 前記p側コンタクト層は超格子層であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 614 ,  H01S5/323 610
Fターム (34件)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA98 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AF03 ,  5F173AF25 ,  5F173AF38 ,  5F173AF45 ,  5F173AF58 ,  5F173AF65 ,  5F173AF78 ,  5F173AG14 ,  5F173AG17 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ45 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AP82 ,  5F173AR23 ,  5F173AR63 ,  5F173AR64 ,  5F173AR96
引用特許：
審査官引用 (7件)
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