窒化物半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-098985
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251505
出願日： 2009年04月15日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】p型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置100は、nチャネル型の縦型のHEMTである。窒化物半導体装置100は、n型の第3窒化物半導体層4の表面の一部にマグネシウムが含有されているp型の第1窒化物半導体層6a、6bを備えている。第1窒化物半導体層6a、6bの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているAl含有領域8a、8bが形成されている。Al含有領域8a、8bはマグネシウムの拡散を防止する。また、Al含有領域8a、8bの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マグネシウムを含有するp型の第1窒化物半導体層と、その第1窒化物半導体層の表面に形成されているn型又はi型の第2窒化物半導体層を備えているnチャネル型の窒化物半導体装置であり、前記第1窒化物半導体層の少なくとも表面に臨む範囲にアルミニウムが含有されていることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/12 , H01L 29/78

FI (7件)：

H01L29/80 V , H01L29/80 H , H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652E , H01L29/78 652J , H01L29/78 652C

Fターム (12件)：

5F102FB01 , 5F102GB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-270286 出願人：ユーディナデバイス株式会社
半導体装置と半導体装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-280485 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
特公平2-060063

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