半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：片山修平 , 横山照夫 , 八田俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270286
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091595
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】GaN系半導体層とSiC基板との接触抵抗を小さくすること、および高耐圧化すること。【解決手段】本発明は、3C-SiCからなる基板(10)と、基板(10)上に設けられたGaN系半導体層(18)と、GaN系半導体層(18)上に設けられた第1電極(24)と、基板(10)に設けられた第2電極(28)と、第1電極(24)と第2電極(28)との間に流れる電流を制御する制御電極(26)と、を具備することを特徴とする半導体装置半導体装置およびその製造方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

3C-SiCからなる基板と、該基板上に設けられたGaN系半導体層と、前記GaN系半導体層上に設けられた第1電極と、前記基板に接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に流れる電流を制御する制御電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (3件)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L29/50 J

Fターム (27件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK00 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-072809 出願人：HOYA株式会社

審査官引用 (5件)

電力変換装置及びそれに用いるGaN系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-247518 出願人：古河電気工業株式会社
GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-041555 出願人：古河電気工業株式会社
化合物半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-101084 出願人：株式会社東芝

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