特許
J-GLOBAL ID：201003096951845420

電界効果半導体装置及びその製造方法

発明者：
金子 信男

金子 信男 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-328291
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153493
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：
【課題】ノーマリオフのHEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層31と、第1及び第2の電子供給層32,33と、キャップ層34と、ソース電極8と、ドレイン電極9と、ゲート電極10と、シリコン酸化物から成る絶縁膜11と、p型金属酸化物半導体膜12とを有している。第2の電子供給層33に凹部7が形成され、この凹部7に絶縁膜11とp型金属酸化物半導体膜12とゲート電極10との積層体が配置されている。正孔濃度の高いp型金属酸化物半導体膜12はノーマリオフ特性に寄与し且つゲートリーク電流の低減に寄与する。絶縁膜11はゲートリーク電流の低減に寄与する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向する一方及び他方の主面と、前記一方及び他方の主面間に配置された第1の半導体層と、前記第1の半導体層と前記一方の主面との間に配置され且つ前記第1の半導体層にヘテロ接合され且つ前記ヘテロ接合に基づいて前記第1の半導体層に電流通路として機能する2次元キャリアガス層を生じさせることができる材料で形成された第2の半導体層とを備えている主半導体領域と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上に配置され且つ前記第1の半導体層の前記2次元キャリアガス層に電気的に結合された第1の主電極と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上に前記第1の主電極から離間して配置され且つ前記第1の半導体層の前記2次元キャリアガス層に電気的に結合された第2の主電極と、 前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の電流通路を制御するために前記主半導体領域の前記一方の主面上における前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に配置されたゲート電極と、 前記主半導体領域と前記ゲート電極との間に配置され且つ前記2次元キャリアガス層のキャリアを低減させる導電型を有している金属酸化物半導体膜と 前記金属酸化物半導体膜と前記主半導体領域との間及び前記ゲート電極と前記金属酸化物半導体膜との間の少なくとも一方に配置された絶縁膜と を備えていることを特徴とする電界効果半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L21/28 301R
Fターム (52件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD42 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD82 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR15 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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