特許
J-GLOBAL ID：200903079982378193

電界効果半導体装置及びその製造方法

発明者：
金子 信男

金子 信男 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-073603
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076845
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】ノーマリオフのHEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層4と、電子供給層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、ゲート電極8と、シリコン酸化物から成る絶縁膜9と、p型金属酸化物半導体膜10とを有している。電子供給層5に凹部15が形成され、この凹部15の底面16の上にp型金属酸化物半導体膜10を介してゲート電極8が配置されている。これにより、ノーマリオフ特性を有し且つオン抵抗及びゲートリーク電流が小さいヘテロ接合型電界効果半導体装置を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向する一方及び他方の主面と、前記一方及び他方の主面間に配置された第1の半導体層と、前記第1の半導体層と前記一方の主面との間に配置され且つ前記第1の半導体層にヘテロ接合され且つ前記ヘテロ接合に基づいて前記第1の半導体層に電流通路として機能する2次元キャリアガス層を生じさせることができる材料で形成された第2の半導体層とを備えている主半導体領域と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上に配置され且つ前記第1の半導体層の前記2次元キャリアガス層に電気的に結合された第1の主電極と、 前記主半導体領域の前記一方の主面上に前記第1の主電極から離間して配置され且つ前記第1の半導体層の前記2次元キャリアガス層に電気的に結合された第2の主電極と、 前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の電流通路を制御するために前記主半導体領域の前記一方の主面上における前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に配置されたゲート電極と、 前記主半導体領域と前記ゲート電極との間に配置され且つ前記2次元キャリアガス層のキャリアを低減させる導電型を有している金属酸化物半導体膜と を備えていることを特徴とする電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (18件)：
5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GR04 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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