特許
J-GLOBAL ID：201003097636194433

グラフェンナノデバイスの製造

発明者：
ホン スンフン

ホン スンフン について

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リー ジュヒョン

リー ジュヒョン について

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キム テヒョン

キム テヒョン について


出願人/特許権者：
ソウル大学校産学協力団

ソウル大学校産学協力団 について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-310488
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041023
出願日： 2008年12月05日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】 グラフェンナノデバイスの製造を提供する。【解決手段】 ナノスケールのグラフェン構造製造技術が提供される。マスクとして有用な酸化物ナノワイヤが、グラフェン層上に形成され、次にイオンビームエッチングが実施される。ナノスケールグラフェン構造は、イオンビームエッチング後、残った酸化物ナノワイヤを除去することにより製造される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
グラフェンナノ構造を製造するための方法であって、 酸化物ナノ構造を、グラフェン層上に形成し、 前記酸化物ナノ構造を、前記グラフェン層上で所定の方向に整列し、 前記整列した酸化物ナノ構造をマスクとして用いることにより異方性エッチングを実施し、 前記異方性エッチング後、残った酸化物ナノ構造を除去することを含む方法。
IPC (8件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/06 ,  C01B 31/02 ,  B82B 3/00
FI (9件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/306 B ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 M ,  H01L29/06 601N ,  C01B31/02 101F ,  B82B3/00
Fターム (33件)：
4G146AA02 ,  4G146AA07 ,  4G146AB08 ,  4G146CB08 ,  4G146CB10 ,  4G146CB15 ,  4G146CB16 ,  4G146CB23 ,  4G146CB26 ,  4G146CB28 ,  4G146CB32 ,  4G146CB36 ,  4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  5F004BA11 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F033HH00 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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