特許
J-GLOBAL ID：201003098342242460

シリコン発光素子

発明者：
諏訪 雄二

諏訪 雄二 について

, 
斎藤 慎一

斎藤 慎一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-082107
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238722
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】通常のシリコンプロセスで容易に形成可能な方法によって、シリコン基板上にシリコンを基本構成要素とした、高効率なシリコン発光素子およびシリコンレーザー素子を提供する。【解決手段】電子を注入するため電極と正孔を注入するための電極、およびそれらに電気的に接続された発光部を有し、その発光部に面方位が(001)方向のシリコン結晶の薄膜が複数並行に配列した構造を持つ発光素子であって、それぞれの薄膜の間が熱酸化によって生じた酸化膜で満たされており、シリコン薄膜に対して圧力が印加された構造となっていることを特徴とするシリコン発光素子。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層上に設けられた発光部と、 前記発光部の表面上に設けられ、前記発光部と電気的にそれぞれ接続された電子を注入するための第1の電極と、正孔を注入するための第2の電極と、を有し、 前記発光部は、前記電子および前記正孔の注入により光を発する程度の膜厚を有する2枚以上の薄膜の主面が互いに対向するように並行に配置された構造からなり、 前記薄膜はシリコン結晶から構成され、前記薄膜の主表面の面方位が(001)面もしくはこれと等価な面方位であり、 互いに対向するように並行に配置された前記薄膜の間がシリコン酸化膜に満たされた構造を有することを特徴とするシリコン発光素子。
IPC (1件)：
H01S 5/30
FI (1件)：
H01S5/30
Fターム (1件)：
5F173AH40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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