特許
J-GLOBAL ID：200903028592976789
半導体発光素子、及びそれを用いた光電子集積回路、並びに光電子集積回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036328
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205006
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素とした高効率な発光素子及び高効率な導波路の構造およびその製造方法を提供する事にある。【解決手段】本発明による発光素子は、電子を注入する第1の電極部と、正孔を注入する第2の電極部と、第1の電極部及び第2の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第1の面(上面)と第1の面に対向する第2の面(下面)を有し、第1及び第2の面の面方位を(100)面とし、第1及び第2の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くすし、薄膜部周囲に高屈折率材を配置することで実現できる。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上にそれぞれ設けられた電子を注入するための第1の電極と、正孔を注入するための第2の電極と、前記第1及び第2の電極と電気的に接続された発光部とを有し、
前記第1の電極、前記第2の電極、及び前記発光部は、それぞれ第1の単結晶材料から構成され、
前記発光部は、前記絶縁層の膜厚より薄い膜厚であって、前記電子および前記正孔の注入により光を発する程度の膜厚を有する薄膜からなる発光素子を有し、前記発光素子から放出された光を伝送するための導波路により覆われていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
2H137AB12
, 2H137AC05
, 2H137BA51
, 2H137BB03
, 2H137BB13
, 2H137BC14
, 2H137BC51
, 2H137EA04
, 2H137EA05
, 2H137EA11
, 5F041CA22
, 5F041CA25
, 5F041CA33
, 5F041CA71
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CB32
, 5F041CB36
, 5F041FF14
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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