特許
J-GLOBAL ID：201003098400536739

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

発明者：
平野 智之

平野 智之 について

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太宰 尚宏

太宰 尚宏 について

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塩野 大寿

塩野 大寿 について

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松宮 祐

松宮 祐 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-223114
公開番号（公開出願番号）：特開2010-102333
出願日： 2009年09月28日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、側鎖にノルボルニルラクトン構造を有するエステル基を有する(メタ)アクリレート単位(a0)、および酸解離性溶解抑制基を含む(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  C08F 220/26 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  C08F220/26 ,  H01L21/30 502R
Fターム (44件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF33P ,  2H125AF70P ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL11 ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC09P ,  4J100BC52P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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