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J-GLOBAL ID：201102217012768000   整理番号：11A1249945

61nm自由電子レーザの使用による化学増幅極端紫外線レジストの反応機構に関する基本研究

Fundamental Study on Reaction Mechanisms in Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists by Using 61nm Free-Electron Laser

著者 (19件)： OKAMOTO Kazumasa (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  OKAMOTO Kazumasa (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KOZAWA Takahiro (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATSUI Takaki (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TAJIMA Yasuharu (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  TAJIMA Yasuharu (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  OIKAWA Keita (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  NAGASONO Mitsuru (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KAMESHIMA Takashi (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TOGASHI Tadashi (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TOGASHI Tadashi (JASRI, Hyogo, JPN) ,  TONO Kensuke (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  YABASHI Makina (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KIMURA Hiroaki (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KIMURA Hiroaki (JASRI, Hyogo, JPN) ,  SENBA Yasunori (JASRI, Hyogo, JPN) ,  OHASHI Haruhiko (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  SUMIYOSHI Takashi (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7972  号： Pt.1  ページ： 797217.1-797217.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学増幅遠紫外線(EUV)レジストの場合,イオン化事象から生じた2次電子が,酸発生基の増感に不可欠な役割をする。61nm自由電子レーザ(FEL)(20.4eV)の露光後,酸発生効率の露光線量率(パルス時間当りフルエンス)への依存性について調べた。平均4.2イオン化事象を生じる13.4nm光子と対照的に,単一入射光子が単一イオン化事象のみを生じ,その結果単一スパーを生じる61nm波長を用いた。線量率の減少とともに酸産出量は増大した。1光子は単一スパーを発生するが,高密度イオン化は多数スパー効果を増大した。このスパー密度は,極端紫外線(EUV)FELの線量率とともに顕著に減少した。化学増幅レジスト(CAR)EUVレジスト中多数のスパーが重畳されることを想定した。スパー分布と酸分布(酸発生効率と解像度ぼけ)間関係の解明が,高エネルギー露光システムでは特に重要である。

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,  *極端紫外線 ,  フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  *自由電子レーザ ,  添加剤 ,  線量率 ,  レーザ照射 ,  反応機構
準シソーラス用語： EUVレジスト ,  酸発生剤

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子の反応一般  (CG03001G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自由電子レーザ ,  化学 ,  増幅 ,  極端紫外線 ,  レジスト ,  研究