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J-GLOBAL ID：201102226346830130   整理番号：11A1489998

デュアルイオンビームスパッタ法を用いたBiFeO₃薄膜の作製(II)

著者 (9件)： 辻田陽介 (兵庫県大 工) ,  中嶋誠二 (兵庫県大 工) ,  藤沢浩訓 (兵庫県大 工) ,  西岡洋 (兵庫県大 工) ,  小舟正文 (兵庫県大 工) ,  PARK J. M. (大阪大 大学院) ,  金島岳 (大阪大 大学院) ,  奥山雅則 (大阪大 ナノサイエンスデザイン教育研究セ) ,  清水勝 (兵庫県大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31A-C-2  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオンビームスパッタリング ,  ビスマス化合物 ,  鉄酸塩 ,  誘電体薄膜 ,  基板温度 ,  X線回折 ,  残留分極 ,  原子間力顕微鏡 ,  強誘電性
準シソーラス用語： *鉄酸ビスマス ,  誘電ヒステリシス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： デュアル ,  イオンビームスパッタ法 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  作製