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J-GLOBAL ID：201102228692465467   整理番号：11A1923889

連続波レーザ横方向結晶化によるガラス基板上の準単結晶珪素-ゲルマニウム薄膜の成長

Growth of Quasi-Single-Crystal Silicon-Germanium Thin Films on Glass Substrates by Continuous Wave Laser Lateral Crystallization

著者 (5件)： KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HIROSE Kenta (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  SUZUKI Junki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KONDO Kenji (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 11,Issue 1  ページ： 115501.1-115501.6  発行年： 2011年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続波レーザ横方向結晶化(CLC)技術を適用して珪素-ゲルマニウム(SiGe)薄膜をガラス基板上に成長させた。膜の結晶構造とGeの分布を光学顕微鏡と電子顕微鏡により特性化した。GeとSiの配合とCLCの利用により,レーザ走査領域で長さが≧100μmの結晶を成長させた。このような長い結晶は純Si膜では形成されなかった。Si_0.7Ge_0.3では,結晶表面法線は<111>に沿って配向した。大部分の結晶粒界はΣ3コインシデンス格子で,電気的に不活性であった。高角度又は不規則な結晶粒界は殆ど見られなかった。従って,結晶化した部分は準単結晶と看做し得る。成長モードとGeの偏析を構造過冷却モデルの観点から論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *結晶化 ,  単結晶 ,  *薄膜成長 ,  結晶成長 ,  偏析 ,  *半導体薄膜 ,  ケイ化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  半導体材料 ,  連続レーザ ,  レーザ応用 ,  Ramanスペクトル ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 準単結晶

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (27件)：

• 1) J. G. Blake, M C King, and J D. Stevens III: Solid State Technol. 40 (1997) 151.
• 2) A. Hara, F. Takeuchi, and N. Sasaki: J Appl. Phys 91 (2002) 708.
• 3) R. Ishihara, A. Burtsev, and P. F. A. Alkemade: Jpn. J Appl Phys. 39 (2000) 3872
• 4) A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K Yoshino, M. Chida, Y. Sano, and N. Sasaki. Jpn. J. Appl. Phys 41 (2002) L311.
• 5) M. Hatano, T. Shiba, and M. Ohkura: SID Int. Symp Dig Tech Pap. 33 (2002) 158.

タイトルに関連する用語 (8件)： 連続波レーザ ,  横方向 ,  結晶化 ,  ガラス基板 ,  単結晶珪素 ,  ゲルマニウム ,  薄膜 ,  成長