文献

J-GLOBAL ID：201102233961067531   整理番号：11A1123568

α-及びβ-炭化珪素ナノ球の圧抵抗性の第一原理シミュレーション

First-Principles Simulation on Piezoresistivity in Alpha and Beta Silicon Carbide Nanosheets

著者 (3件)： NAKAMURA Koichi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TORIYAMA Toshiyuki (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUGIYAMA Susumu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 6,Issue 2  ページ： 06GE05.1-06GE05.6  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 幾つかのn型α-及びβ-炭化珪素ナノシートモデルにおける歪ゲージ率を第一原理計算に基づいてシミュレーションした。圧抵抗特性シミュレーションの筆者らの独自の手順を多谷伝導バンド構造を持つ二次元系に適用した。[1<span style=text-decoration:overline>1</span>00]引張歪に対する2H-SiC(0001)ナノシートの計算したゲージ率は室温で非常に小さいが,縦方向のゲージ率は高温で有意な負値を示す。4H-,6H-,3C-SiC(0001)モデルのゲージ率のシミュレーションは,負の縦方向ゲージ率と正の横方向ゲージ率を室温で明白に示し,両者は1/Tに良く比例した。2H-SiC(0001)モデルの圧抵抗性は温度上昇に伴い急速に増大し,n型2H-SiC(0001)ナノシートはその高温での圧抵抗性故に次世代高温センサへの応用に有用であると期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ミクロスフェア ,  *圧抵抗効果 ,  第一原理 ,  計算機シミュレーション ,  ナノ構造 ,  膜 ,  センサ ,  MEMS ,  *歪計 ,  歪 ,  伝導バンド ,  ナノシート
準シソーラス用語： *ナノ球 ,  引張歪

分類 (2件)： 弾性力学一般  (HC02010M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (42件)：

• 1) Silicon Carbide-1973, ed. R. C. Marshall, J. W. Faust Jr., and C. E. Ryan (University of South Carolina Press, Columbia, 1974).
• 2) J. S. Shor, D. Goldstein, and A. D. Kurtz: IEEE Trans. Electron Devices 40 (1993) 1093.
• 3) G. H. Kroetz, M. H. Eickhoff, and H. Moeller: Sens. Actuators A 74 (1999) 182.
• 4) J. S. Shor, L. Bemis, and A. D. Kurtz: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 661.
• 5) R. S. Okojie, A. A. Ned, A. D. Kurtz, and W. N. Carr: IEEE Trans. Electron Devices 45 (1998) 785.

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭化珪素 ,  ナノ球 ,  圧 ,  抵抗性 ,  第一原理 ,  シミュレーション