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J-GLOBAL ID：201102244217209281   整理番号：11A1393948

低温Kervinプローブ力顕微鏡法により観察されるSi中のPドナーでの単電子充電

Single-Electron Charging in Phosphorus Donors in Silicon Observed by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscope

著者 (8件)： ANWAR Miftahul (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KAWAI Yuya (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MORARU Daniel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NOWAK Roland (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NOWAK Roland (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  MIZUNO Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TABE Michiharu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 8,Issue 4  ページ： 08LB10.1-08LB10.4  発行年： 2011年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(13K)で動作するKervinプローブ力顕微鏡法(KFM)は個々のPドナーにより誘発される局所電子ポテンシャル揺らぎを研究するために使用される。電子ポテンシャル地図は絶縁物上Si電界効果トランジスタの薄いPドープチャネルの表面で異なったバックゲート電圧値に対して測定された。ポテンシャルプロファイルの局所変化を,チャネルにおける電子注入を示すバックゲート電圧を増加させて観察した。バックゲート電圧を変化させることによって観察される,微細ポテンシャル井戸の深さでの単段階変化は個々のドナーにおける単電子充電によるものとみなされる。重ね合ったポテンシャル井戸を持ったクラスタードナーに関しては,バックゲート電圧がより正になるにつれて,単段階の振る舞いはくなり,電子充電は徐々に起きる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *力顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  *ドナー ,  *リン ,  *単一電子トンネル効果 ,  *充電

分類 (4件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (30件)：

• 1) A. Asenov, A. R. Brown, J. H. Davies, S. Kaya, and G. Slavcheva: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1837.
• 2) H. Sellier, G. P. Lansbergen, J. Caro, S. Rogge, N. Collaert, I. Ferain, M. Jurczak, and S. Biesemans: Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 206805.
• 3) G. P. Lansbergen, R. Rahman, C. J. Wellard, I. Woo, J. Caro, N. Collaert, S. Biesemans, G. Klimeck, L. C. L. Hollenberg, and S. Rogge: Nat. Phys. 4 (2008) 656.
• 4) M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, and T. Mizuno: Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 016803.
• 5) Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 102106.

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温 ,  プローブ ,  力顕微鏡 ,  観察 ,  Si ,  ドナー ,  電子 ,  充電