{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201102244217209281   整理番号:11A1393948

低温Kervinプローブ力顕微鏡法により観察されるSi中のPドナーでの単電子充電

Single-Electron Charging in Phosphorus Donors in Silicon Observed by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscope
著者 (8件):
資料名:
巻: 50  号: 8,Issue 4  ページ: 08LB10.1-08LB10.4  発行年: 2011年08月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
低温(13K)で動作するKervinプローブ力顕微鏡法(KFM)は個々のPドナーにより誘発される局所電子ポテンシャル揺らぎを研究するために使用される。電子ポテンシャル地図は絶縁物上Si電界効果トランジスタの薄いPドープチャネルの表面で異なったバックゲート電圧値に対して測定された。ポテンシャルプロファイルの局所変化を,チャネルにおける電子注入を示すバックゲート電圧を増加させて観察した。バックゲート電圧を変化させることによって観察される,微細ポテンシャル井戸の深さでの単段階変化は個々のドナーにおける単電子充電によるものとみなされる。重ね合ったポテンシャル井戸を持ったクラスタードナーに関しては,バックゲート電圧がより正になるにつれて,単段階の振る舞いはくなり,電子充電は徐々に起きる。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  界面の電気的性質一般  ,  金属-絶縁体-半導体構造  ,  顕微鏡法 

前のページに戻る