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J-GLOBAL ID：201102247923386098   整理番号：11A1829783

4H-SiC中での表面欠陥及び付随する不完全性:光学的,構造的及び電気的キャラクタリゼーション

Surface defects and accompanying imperfections in 4H-SiC: Optical, structural and electrical characterization

著者 (5件)： CHEN Bin (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba 305-8568, JPN) ,  MATSUHATA Hirofumi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba 305-8568, JPN) ,  SEKIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba 305-0044, JPN) ,  ICHINOSEKI Kyouichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba 305-8568, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba 305-8568, JPN)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 60  号： 1  ページ： 51-58  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCホモエピタキシャル膜中のキラー欠陥と称される落下粒子の光学的性質,構造的性質及び電気的性質及びそれらに伴う不完全性を電子顕微鏡法で研究した。落下粒子は数十ミクロンのサイズの多結晶3C-SiCである。カソードルミネセンス(CL)を用いると,それらはそれらのバンド端(525nm)で予想外の暗いコントラストを示す。落下粒子はエピタキシャル成長に異なる影響を与える。それらの大部分(一般的なもの)には,471nmで冷光である積層欠陥(SF)が伴っており,一方いくつかは近くで3C介在物の出現を促進する。透過電子顕微鏡法は,伴うSFの変位ベクトルは{0001}基底面内にあり,ここで3C介在物と4H母体の間の界面はShockley型部分転位及びフランク型部分転位からなることを明らかにした。エピタキシャル成長ならびにCL画像でのそれらの暗いコントラストに及ぼす落下粒子の影響を考察している。一般粒子と特殊粒子の間の違い及びデバイスの電気的性質との相関も考察している。このようにして,本研究での構造-性質解析は,さまざまな材料のホモエピタキシャル成長及びへテロエピタキシャル成長中の欠陥形成及び発達の基本的な理解を提供する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *表面欠陥 ,  不整 ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  粒子 ,  多結晶 ,  陰極線ルミネセンス ,  エピタクシー ,  部分転位 ,  コントラスト ,  積層欠陥 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 不完全性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  表面欠陥 ,  不完全性 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション