H<sub>2</sub>O気体を用いた反応性スパッタリングにより作製した水和ZrO<sub>2</sub>薄膜のイオン伝導率に及ぼす熱処理の効果

LI Ning; ABE Yoshio; KAWAMURA Midori; SASAKI Katsutaka; ITOH Hidenobu; SUZUKI Tsutomu

文献

J-GLOBAL ID：201102250255340472 整理番号：11A0926740

H₂O気体を用いた反応性スパッタリングにより作製した水和ZrO₂薄膜のイオン伝導率に及ぼす熱処理の効果

Effect of Heat Treatment on Ion Conductivity of Hydrated ZrO₂ Thin Films Prepared by Reactive Sputtering Using H₂O Gas

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 50 号： 4,Issue 1 ページ： 045804.1-045804.5 発行年： 2011年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

水和ZrO₂薄膜を,H₂O気体を用いた反応性スパッタリングにより作製し,100から350°Cまでの温度において,空気中で熱処理した。これらの試料に関する水素結合OH基による吸収ピークを,Fourier変換赤外分光により観測した。ピーク強度は,200°C以下の熱処理前後においてほとんど同じであったが,250°Cにおいて減少し始め,350°Cにおいて,吸収ピークは消えた。膜のイオン伝導率を,ACインピーダンス測定により評価し,200°Cにおける熱処理前後で約3×10^-6S/mであった。これらの結果から,膜におけるOH及び/またはH₂Oの陽子が,膜のイオン伝導率に寄与する主なイオン種であると考えた。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般 , 光物性一般

引用文献 (28件)：

1) K. Tanabe, T. Seiyama, and K. Fueki: Kmzoku Sankabutsu to Fukugo Sankabutsu (Metal Oxides and Composite Oxides) (Kodansha, Tokyo, 1978) p. 119 [in Japanese].
2) H. K. Pulker: Coatings on Glass (Elsevier, Amsterdam, 1999) p. 410.
3) M. G. Krishna, K. N. Rao, and S. Mohan: Thin Solid Films 193-194 (1990) 690.
4) S. Shao, Z. Fan, J. Shao, and H. He. Thin Solid Films 445 (2003) 59.
5) A. Husmann, J. Gottmann, T. Klotzbucher, and E. W Kreutz: Surf. Coat Technol. 100-101 (1998) 411.

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H2O気体を用いた反応性スパッタリングにより作製した水和ZrO2薄膜のイオン伝導率に及ぼす熱処理の効果

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