文献

J-GLOBAL ID：201102258522568454   整理番号：11A0890730

有機金属気相エピタキシャル法により作製されたEu添加GaN赤色発光ダイオードの室温動作

Room-Temperature Operation of Red Light-emitting Diodes with Europium-Doped Gallium Nitride Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy

著者 (3件)： FUJIWARA Yasufumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIKAWA Atsushi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAI Yoshikazu (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： 蛍光体同学会講演予稿  (蛍光体同学会講演会予稿)
巻： 335th  ページ： 19-24  発行年： 2010年 
JST資料番号： L2536A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOCVD ,  ユウロピウム ,  ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  半導体 ,  *発光ダイオード ,  赤 ,  二次イオン質量分析 ,  光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  素子構造

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属 ,  気相 ,  エピタキシャル ,  作製 ,  Eu ,  GaN ,  赤色発光ダイオード ,  室温