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J-GLOBAL ID：201102261905093582   整理番号：11A0411451

プラズマ増強化学蒸着における単層カーボンナノチューブの選択成長のパラメータ研究

Parametric Study for Selective Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes in Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： NOZAKI Tomohiro (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KARATSU Takuya (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YOSHIDA Shinpei (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OKAZAKI Ken (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 1,Issue 2  ページ： 01AF03.1-01AF03.5  発行年： 2011年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着(PECVD)における単層カーボンナノチューブ(CNT)の成長機構を紹介した。これまで開発された大気圧グロー放電反応炉を改造して,この目的のため使った。先ず,CNT形態の圧力依存転移(20-100kPa)を一定の入力電力(60W)と様々な触媒重量(Fe/Al₂O₃;20nm)で調べた。大気圧で容量結合非熱プラズマを発生させたとき,高純度の垂直にそろった単層CNT(SWCNT)が合成された。一方,全圧が低下するに従い,2層と多層のCNTの割合が高くなった。入力電力が低くなると(5-20W),CNT成長速度は低下したが,20kPaで根元が成長する領域にSWCNTも成長した。プラズマから発生する反応種はCNT成長の重要な駆動力になる。しかし,これら種の発生と輸送は単層,2層,及び多層CNTが選択的に成長するとき適切に抑制されるはずである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *単層カーボンナノチューブ ,  選択成長 ,  グロー放電 ,  鉄触媒 ,  高周波放電 ,  担持触媒 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *ナノ構造 ,  Ramanスペクトル ,  アルミナ触媒 ,  *二層カーボンナノチューブ ,  容量結合高周波放電
準シソーラス用語： *プラズマ増強化学蒸着 ,  容量結合放電

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (16件)：

• M. Meyyappan, L. Delzeit, A. Cassell, and D. Hash: Plasma Sources Sci. Technol.12(2003)205.
• M. Meyyappan: J. Phys. D 42(2009)213001.
• T. Nozaki, Y. Kimura, and K. Okazaki: J. Phys. D 35(2002)2779.
• T. Nozaki, K. Onishi, K. Okazaki, and U. Kortshagen: Carbon 45(2007)364.
• T. Nozaki and K. Okazaki: Plasma Processes Polym.5(2008)300.

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  単層カーボンナノチューブ ,  選択成長 ,  パラメータ ,  研究