SiO<sub>2</sub>薄膜表面についての異なる一次電子エネルギーでの電子誘起損傷に関する炭素汚染の効果

NAGATOMI T.; NAKAMURA H.; TAKAI Y.; OGIWARA T.; KIMURA T.; TANUMA S.

文献

J-GLOBAL ID：201102262887301802 整理番号：11A1099510

SiO₂薄膜表面についての異なる一次電子エネルギーでの電子誘起損傷に関する炭素汚染の効果

Effects of Carbon Contaminations on Electron-Induced Damage of SiO₂ Film Surface at Different Electron Primary Energies

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資料名：
巻： 18 号： 1 ページ： 26-35 発行年： 2011年06月
JST資料番号： L3852A ISSN： 1341-1756 CODEN： JSANFX 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Auger電子分光法測定の間における,清浄および炭素汚染SiO₂薄膜表面の電子誘起損傷の依存性を,異なる一次エネルギーでの電子照射下で調べた。Si-LVV元素ピークについて,電子線量の増大に伴う強度の変化を測定し,二段階分解モデル[J.Surf.Sci.Soc.Jpn.Vol.25,212(2004)]のスキームの枠内で解析した。その結果は,電子照射で誘起されるSiO₂分解の速度が,SiO₂表面上の厚さ約0.03nmの少量の炭素汚染によって低下することを明らかにした。SiO₂の電子照射劣化の低下に及ぼす炭素汚染の効果は,3keVの一次電子エネルギーに対して有意であり,15keVの一次エネルギーではその効果は全く確認できなかった。これらの知見は,一次エネルギー依存性が,一次電子と表面近傍領域の原子との相互作用は,低エネルギーの一次電子を照射した場合により有意であるという事実に起因することを示唆した。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , 電子・陽電子との相互作用一般 , その他の物質の放射線による構造と物性の変化

引用文献 (15件)：

[1] S. Ichimura and R. Shimizu, J. Appl. Phys. 50, 6020 (1979).
[2] H. Nonaka, S. Ichimura, and K. Arai, Surf. Interface Anal. 16, 435 (1990).
[3] J. Fujiwara, K. Yoshihara, and K. Nii, J. Surf Sci. Soc. Jpn. 8, 148 (1987) (in Japanese).
[4] K. Min, M. Nakamura, and K. Yoshihara, J. Surf Anal. 3, 39 (1997) (in Japanese).
[5] C. G. Pantano and T. E. Madey, Appl. Suf. Sci. 7, 115 (1981).

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