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J-GLOBAL ID：201102265545096297   整理番号：11A1074477

4H-SiC(0001)表面の触媒関連エッチングにおける原子ステップ密度に対する処理特性の依存性

Dependence of Process Characteristics on Atomic-Step Density in Catalyst-Referred Etching of 4H-SiC(0001) Surface

著者 (9件)： OKAMOTO Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TACHIBANA Kazuma (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ARIMA Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATTORI Azusa N. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAGI Keita (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  MURATA Junji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SADAKUNI Shun (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 11  号： 4  ページ： 2928-2930  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 触媒関連エッチング(CARE)処理したSiC基板の研究結果は,エッチングがステップ端で進行し,エッチング性質が基板表面の原子ステップ密度に依存することを示している。4H-SiC(0001)基板の原子ステップ密度により影響される処理特性を調べた。基板表面の原子ステップ密度への除去性質の依存性を調べるために,軸上および8°斜軸基板上の2インチn型4H-SiCを用いた。CARE処理前後の基板質量の差から除去速度を推定した。二つの基板の除去速度と原子ステップ密度の間には強い相関があることを見出した。軸上基板の場合,除去速度は表面粗さの増大に伴って増大し,表面粗さは原子ステップ密度の増大とともに増大した。ステップ端の方向を考慮しなくても,これら二つの基板の除去速度の比とステップ密度の比はほぼ等しかった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *エッチング ,  *密度 ,  *表面ステップ ,  基板 ,  *触媒反応
準シソーラス用語： 原子ステップ密度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  触媒 ,  エッチング ,  原子 ,  密度 ,  依存性