文献
J-GLOBAL ID:201102269191482947   整理番号:11A0162488

無電解Au/Pd/Niワイヤボンデイング性への無電解ニッケル膜条件の影響

Influences of Electroless Nickel Film Conditions on Electroless Au/Pd/Ni Wire Bondability
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 78-85  発行年: 2010年12月24日 
JST資料番号: L7297A  ISSN: 1883-3365  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
最近,無電解Au/Niメッキプロセスが,高密度印刷基板上銅パターン化に用いられている。このプロセスでは,堆積したNiとAu間で局所Ni腐食が起こった。半田付けなど熱処理後,Niは局所腐食領域から堆積Au表面中へ拡散する傾向があり,この腐食領域が表面実装不良を生じた。最近,無電解Au/Pd/Niメッキが,Ni腐食反応を抑制するため,無電解Au/Niメッキに代わる方法として研究されてきた。無電解Au/Pd/Niメッキプロセスによるワイヤボンデイング性へのNi微細構造およびPdとAuの厚さの影響について調べた。Pd膜とAu膜の厚さが0.1μm以上である場合,優れたワイヤボンデイング性を得た。Pd膜とAu膜の厚さを薄型化するとともに,AuとPd間の熱拡散により,ワイヤボンデイング性が劣化した。層状微細構造を有する無電解Ni膜を適用することにより,良好なワイヤボンデイング性を得た。無電解Niメッキ方法を用いて,AuとPdの薄層(0.05μm)でも,優れたワイヤボンデイング性を得た。オージェ電子分光法(AES)分析により,層状微細構造を有するNi膜の作製が熱処理後,Au膜表面上のAu濃度を維持するための主要要因であることを確認した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料 
引用文献 (10件):
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る