SiO<sub>2</sub>基板上のInGaZnO<sub>4</sub>のエキシマレーザ結晶化

CHEN Tao; WU Meng-Yue; WU Meng-Yue; ISHIHARA Ryoichi; NOMURA Kenji; NOMURA Kenji; KAMIYA Toshio; KAMIYA Toshio; HOSONO Hideo; HOSONO Hideo; M BEENAKKER C. I.

文献

J-GLOBAL ID：201102269526737740 整理番号：11A1681968

SiO₂基板上のInGaZnO₄のエキシマレーザ結晶化

Excimer laser crystallization of InGaZnO₄ on SiO₂ substrate

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著者 (11件)：

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資料名：

Journal of Materials Science. Materials in Electronics (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

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巻： 22 号： 11 ページ： 1694-1696 発行年： 2011年11月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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本論文では,SiO₂基板上にエキシマレーザによりInGaZnO₄(IGZO)を結晶化することができた。SiO₂基板上に粒界および酸素空位なしで一様な[0001]テクスチャの多結晶IGZO薄膜が得られたことが観察された。このプロセスは,種基板なしで低温で高品質のIGZO薄膜トランジスタ(TFT)を作成するのに非常に有望である。Copyright 2011 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

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SiO2基板上のInGaZnO4のエキシマレーザ結晶化

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