青色マルチ-レーザ-ダイオードでアニールしたスパッタアモルファスシリコン薄膜の結晶化挙動

SHIRAI Katsuya; MUGIRANEZA Jean de Dieu; SUZUKI Toshiharu; OKADA Tatsuya; NOGUCHI Takashi; MATSUSHIMA Hideki; HASHIMOTO Takao; OGINO Yoshiaki; SAHOTA Eiji

文献

J-GLOBAL ID：201102274349945170 整理番号：11A0571794

青色マルチ-レーザ-ダイオードでアニールしたスパッタアモルファスシリコン薄膜の結晶化挙動

Crystallization Behavior of Sputtered Amorphous Silicon Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 50 号： 2 ページ： 021402.1-021402.5 発行年： 2011年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

多結晶Si薄膜の評価結果から,結晶化は,固相で高温加熱中で起こり,そして,(111)面を明確に優先した結晶配向のデンドライト-様構造のむしろ小さいグレーンを500mm/sのより高スキャン速度で観察した。他方,300mm/sの速度のスキャンで結晶化は液相でランダム配向で起こり,100~200nmの大きさの,むしろ大きいグレーンを観察した。 BLDAのスキャン速度を制御することによって任意のグレーン構造の高い結晶性ボリ-Si薄膜が得られるこをうまく確かめた。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (22件)：

T. Noguchi, D. Y. Kim, J. Y. Kwon, K. B. Park, J. S. Jung, W. X. Xianyu, H. X. Yin, and H. S. Cho: Mater. Res. Soc. Symp. Proc.814(2004)11.4.
T. Serikawa: Proc. Int. TFT Conf., 2005, p. 52.
N. Kawamoto, A. Masuda, N. Matsuo, Y. Seri, T. Nishimori, Y. Kitamon, H. Matsumura, H. Hamada, and T. Miyoshi: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006)2726.
T. Kaitoh, T. Miyazawa, H. Miyake, T. Noda, T. Sakai, Y. Owaku, and T. Saitoh: Proc. IDW07, 2007, AMD7-1.
T. Noguchi, Y. Chen, T. Miyahira, J. D. Mugiraneza, Y. Ogino, Y. Iida, E. Sahota, and M. Terao: Jpn. J. Appl. Phys.49(2010)03CA10.

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