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J-GLOBAL ID：201102284675136538   整理番号：11A0962216

シリコンナノワイヤ電界効果トランジスタの電気特性に与える矩形状チャネル断面の構造的利点

Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors

著者 (7件)： SATO Soshi (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  AHMET Parhat (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  OHMORI Kenji (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  NATORI Kenji (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  YAMADA Keisaku (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  IWAI Hiroshi (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 51  号： 5  ページ： 879-884  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤ(SiNW)電界効果トランジスタ(FET)の矩形状断面の丸め隅部がオン電流(I_ON),チャネル断面の周囲長によって正規化した反転電荷密度(Q_inv)および実効キャリア移動度(μ_eff)に与える構造的利点を実験的に実証した。ゲート電圧(V_g)と閾値電圧(V_th)との差である1.0V過駆動電圧(V_OV)および1.0Vドレイン電圧でI_ONを評価した。SiNW nFETのI_ONは,65nmゲート長(L_g),19nmチャネル幅(w_NW),12nmチャネル高さ(h_NW)で1600μA/μmと高い値を示した。V_OV=1.0Vでのワイヤ当たりのオン電流量を隅部要素と平面部要素に分離し,隅部の効果は65nmのL_gのSiNW nFETでの全I_ONのほぼ60%であった。V_OV=1.0VでQ_invを改良型Split-CV法で評価した結果,狭いSiNW FETで高い値を得た。更に,隅部近くの反転電荷量はSiNW FET(w_NW=19nmでh_NW=12nm)の全反転電荷量の50%を占めることが分かった。SiNW FETについては,SOIプレーナnFETの場合に比べて高いμ_effも得た。SiNW FETの隅部でのμ_effをドレインコンダクタンスおよび分離反転電荷量で計算した。隅部周辺でのμ_effはSiNW FETの元のμ_effよりも高い値が得られる。隅部周辺での高いμ_effおよび大きな割合のI_ONとQ_invにより,矩形状断面の丸め隅部はSiNW nFETの電気性能の向上に重要な役割を果たすことを示唆する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *チャネル ,  断面 ,  *キャリア移動度 ,  電荷分布 ,  電荷 ,  ゲート【半導体】 ,  長さ ,  電圧 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： ゲート長 ,  反転電荷密度 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  電気特性 ,  矩形 ,  チャネル ,  利点