特許
J-GLOBAL ID：201103000036211079
合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111010
公開番号（公開出願番号）：特開2000-304524
特許番号：特許第4128691号
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に絶縁層が設けられた少なくとも二層以上からなる観察対象物に形成された積層パターンの位置の合わせずれを電子顕微鏡を用いて評価する合わせずれ評価方法において、上記電子顕微鏡から発せられる電子の加速電圧を制御する第1の制御工程と、上記電子顕微鏡から発せられる電子の電子密度を制御する第2の制御工程と、上記電子顕微鏡から発せられる電子の照射時間を制御する第3の制御工程と、上記電子顕微鏡本体から観察対象物に向けて電子を照射する照射工程と、上記観察対象物から反射される二次電子を検出する検出工程と、上記検出工程での検出結果を演算処理して観察対象物の積層パターンの位置ずれを算出する位置ずれ算出工程と、を具備し、
前記第1乃至第3の制御工程において、絶縁酸化膜部分である第1部分の有する容量と配線のパターンが形成されている部位、すなわち、絶縁酸化膜が第1部分よりも薄く形成されている部位である第2部分での絶縁酸化膜の容量に起因して前記二次電子の放出量に相違が生じるよう制御されるとともに、
前記第3の制御工程において、前記照射時間は、前記二次電子の放出量に差が生じなくなる時間よりも短時間となるように制御され、
上記第1の制御工程、第2の制御工程、及び第3の制御工程は、上記位置ずれ算出工程での夫々の層の認識結果に基づいて、認識できない場合に調整を行うようフィードバック制御されることを特徴とする合わせずれ評価方法。
IPC (5件)：
G01B 15/00 ( 200 6.01)
, H01J 37/22 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
G01B 15/00 B
, H01J 37/22 502 H
, H01L 21/66 J
, H01L 29/78 658 L
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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