特許

J-GLOBAL ID：201103001214437180

フッ化アリールマグネシウムハライドの製造方法

発明者： 三井 均 ,  飯田 俊哉 ,  池野 育代 ,  平野 尚子 ,  有吉 夕貴子
出願人/特許権者： 株式会社日本触媒
代理人 (2件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所 ,  原 謙三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-191666
特許番号：特許第4447083号
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 一般式(1) (式中、R1、R2、R3、R4、R5はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該R1〜R5のうちの少なくとも3つはフッ素原子であり、Xaは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるフッ化アリールマグネシウムハライドを製造する方法であって、 一般式(2) R6MgXa......(2) (式中、R6は炭化水素基を表し、Xaは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表される炭化水素マグネシウムハライドと、 一般式(3) (式中、R1、R2、R3、R4、R5はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該R1〜R5のうちの少なくとも3つはフッ素原子であり、Xbは臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるハロゲン化フッ化アリールとを鎖状のエーテル系溶媒を含む溶媒中で反応させることを特徴とするフッ化アリールマグネシウムハライドの製造方法。

IPC (4件)：

C07F 3/02 ( 200 6.01) ,  C07F 5/02 ( 200 6.01) ,  C07F 19/00 ( 200 6.01) ,  C07B 49/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C07F 3/02 B ,  C07F 5/02 A ,  C07F 19/00 ,  C07B 49/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• (フッ化アリール)ホウ素化合物の製造方法並びにテトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-284170   出願人：株式会社日本触媒
• テトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-284173   出願人：株式会社日本触媒
• ペンタフルオロベンゼンを用いたペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329959   出願人：東ソー・アクゾ株式会社
• ハロゲン化アルキルを用いるテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-134478   出願人：東ソー・アクゾ株式会社