特許
J-GLOBAL ID：201103001626366198

半導体記憶装置

発明者：
小 林 弘 幸

小 林 弘 幸 について

, 
濱 田 基 嗣

濱 田 基 嗣 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159944
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353340
特許番号：特許第4038351号
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】データが記憶されるデータ記憶部と、前記データを前記データ記憶部に書込むためおよび前記データ記憶部から前記データを読出すための、第1導電型のMOSFETを有するトランスファゲート部とを有するメモリセルを備え、 前記データ記憶部は、交差接続された第1および第2CMOSインバータを有し、前記トランスファゲート部の第1MOSFETのソースが前記第1CMOSインバータの出力端に接続されるとともに前記第1MOSFETのソースの電位が前記第2CMOSインバータの基板バイアスとして印加され、前記第2CMOSインバータの出力が前記第1MOSFETおよび前記第1CMOSインバータの基板バイアスとして印可されたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01) ,  G11C 11/412 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/10 381 ,  G11C 11/40 301
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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