窒化ガリウム系半導体レーザダイオード

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 黒木義樹 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-167093
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023535
出願日： 2009年07月15日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】半極性面を用いて500nm以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】活性層29は波長500nm以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域29に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、2層構造の第1の光ガイド層27と2層構造の第2の光ガイド層31とを用いる。AlGaN及びInAlGaNの少なくともいずれか一方からなるクラッド層21の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第1のエピタキシャル半導体領域15の厚さD15がコア半導体領域19の厚さD19よりも厚いけれども、第1〜第3の界面J1、J2、J3におけるミスフィット転位密度は1×106cm-1以下である。これらの界面J1、J2、J3において、c面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体レーザダイオードであって、 III族窒化物半導体からなり、該III族窒化物半導体のc軸の方向に延在する基準軸に直交する第1の基準平面に対して角度ALPHAで傾斜した半極性主面を有する支持基体と、第1のクラッド層を含み、前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた第1のエピタキシャル半導体領域と、第2のクラッド層を含み、前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた第2のエピタキシャル半導体領域と、前記支持基体の前記半極性主面上に設けられたコア半導体領域とを備え、前記コア半導体領域は、第1の光ガイド層、活性層及び第2の光ガイド層を含み、前記活性層はInX0Ga1-X0N層を含む、前記活性層は発振波長500nm以上の光を発生するように設けられており、前記第1のクラッド層は、該III族窒化物半導体と異なる窒化ガリウム系半導体からなり、該窒化ガリウム系半導体はAlGaN及びInAlGaNの少なくともいずれか一方からなり、前記第1のエピタキシャル半導体領域、前記コア半導体領域及び前記第2のエピタキシャル半導体領域は、前記支持基体の前記半極性主面の法線軸の方向に順に配列されており、前記c軸は<0001>軸及び<000-1>軸のいずれかの方向に向き、前記角度ALPHAは10度以上80度未満の範囲にあり、前記第1のエピタキシャル半導体領域の厚さは前記コア半導体領域の厚さよりも厚く、前記支持基体と前記第1のエピタキシャル半導体領域との界面におけるミスフィット転位密度は1×106cm-1以下であり、前記第1のエピタキシャル半導体領域と前記コア半導体領域との界面におけるミスフィット転位密度は1×106cm-1以下であり、前記コア半導体領域と前記第2のエピタキシャル半導体領域との界面におけるミスフィット転位密度は1×106cm-1以下であり、前記第1のクラッド層の導電型は前記第2のクラッド層の導電型と逆導電型であり、前記第1の光ガイド層は前記活性層と前記第1のエピタキシャル半導体領域との間にあり、前記第1の光ガイド層は第1InX1Ga1-X1N層及び第1GaN層を含み、前記第2の光ガイド層は前記活性層と前記第2のエピタキシャル半導体領域との間にあり、前記第2の光ガイド層は第2InX2Ga1-X2N層及び第2GaN層を含む、ことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザダイオード。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (11件)：

5F173AF15 , 5F173AF35 , 5F173AF44 , 5F173AF52 , 5F173AF55 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP24 , 5F173AP64 , 5F173AP81 , 5F173AR02

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体発光素子の製造方法と窒化物半導体発光層
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-216996 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子、半導体レーザ素子、及び画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-301714 出願人：ソニー株式会社
平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-500965 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構

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